脚字的结构是_脚字的结构是什么

引脚的结构是怎样的？第一导电层与栅极介电层的侧面接触。第二导电层位于相邻的有源柱之间。第一导电层位于栅极上。在介电层与第二导电层之间，第二导电层设置于第一导电层的侧面周围。本发明实施例提供的半导体结构及其制备方法至少可以提高字线的控制能力。本文源自金融等话题。

特征的组合提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：阵列区和围绕阵列区的分隔区；阵列区包括沿第一方向延伸的部分位线和沿第二方向延伸的部分位线。部分字线；隔离区包括与阵列区的至少一侧相邻的引出区，并且字线和/或位线也位于引出区中。隔离区包括浅沟槽隔离结构，其后面会有浅沟槽隔离结构。介绍。

＋﹏＋

脚字结构图据金融界消息，2024年3月9日，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请了公开号为CN117673032A的名为《半导体结构及制备方法》 ”，申请日期为2022 年9 月。专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底和字线结构；其中，字线结构包括：工作函数栈还有什么？

“脚”字部首长鑫存储技术有限公司申请了公开号为CN117677183A的名为《半导体结构及形成方法、存储器》，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，目前本发明涉及半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。本发明的半导体结构包括基板、字线结构、导电接触结构以及缓冲层。准备好了！

˙ω˙

长鑫存储技术有限公司已申请公开号CN117677178A，名称为“半导体结构及形成方法、存储器”，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、以及存储器。本发明的半导体结构包括衬底和字线结构，其中：衬底包括阵列区和外围区。

⊙﹏⊙

据金融行业2024年3月8日消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请的项目名称为《半导体结构及半导体结构的制备方法》公开号： CN117677180A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：多条字线以及多条字线。我会继续。

据金融行业2023年12月12日消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司已获得授权公告号CN113745193B，名称为“字线提取结构及制备方法”。申请日期为2020年5月。专利摘要显示，本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法。在基板上形成沿X轴方向延伸的字线；如果形成沿Y轴方向延伸的字线呢？

足部特征的演变：第二沟槽隔离结构和第三沟槽隔离结构；形成两个间隔设置的栅极沟槽，其底面与衬底的上表面接触，且目标半导体层位于栅极沟槽内的部分暴露并悬空；在栅极沟槽中形成围绕目标半导体层的栅极结构。本发明实施例至少可以在不减少单位体积的存储单元数量的情况下增加字线结构占用的空间，这将在后面描述。

?▂?

长鑫存储技术有限公司已申请公开号CN117651410A，名称为“阵列结构、半导体结构及制造方法”，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明实施例公开了一种阵列结构，一种半导体结构及其制造方法，其中该阵列结构包括：多个存储单元、多条字线以及多条位线。其中上述各个存储稍后都会介绍。

“脚”的拼音怎么发音？目标栅极沟槽沿第二方向延伸的侧壁包括由内向外依次层叠的第一子侧壁和第二子侧壁。在目标栅极沟槽中形成围绕目标半导体层的沿第二方向间隔开的两个栅极结构。本发明可以在不减少单位体积的存储单元数量的情况下至少增加单个存储单元结构中的栅极结构和字线结构的厚度，这将在后面描述。

≥▽≤