脚字的结构_脚字的结构

据金融行业2024年3月9日消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请的项目名称为《半导体结构及制备方法》，公开号CN117673032A，具有申请日期为2022年9月月亮。专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底和字线结构；其中，字线结构包括：工作函数栈还有什么？

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脚字的结构和部首是什么？ 2024年3月8日财经界消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请的项目名称为《半导体结构及其制备方法》，公开号为CN117677180A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：多条字线等等。

该脚字结构为长鑫存储技术有限公司申请的公开号为CN117677183A的名称为“半导体结构及形成方法、存储器”，申请日为2022年8月。专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。本公开的半导体结构包括衬底、字线结构、导电接触结构和缓冲层，如将要讨论的。

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“脚”字的结构及含义长鑫存储技术有限公司申请了公开号为《半导体结构及形成方法、存储器》CN117677178A，申请日为2022年8月。专利摘要显示，目前本发明属于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。本发明的半导体结构包括衬底和字线结构，其中：衬底包括阵列区和外围区等。我继续解释。

其底部的结构特征为：目标栅沟槽沿第二方向延伸的侧壁包括由内向外依次层叠的第一子侧壁和第二子侧壁。在目标栅极沟槽中形成环绕目标，半导体层的两个栅极结构沿第二方向间隔开。本发明至少可以在不减少单位体积的存储单元数量的情况下增加单个存储单元结构中栅极结构和字线结构的厚度，对吧？

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脚字结构由第二沟槽隔离结构和第三沟槽隔离结构组成；形成两条间隔设置的栅极沟槽，其底面与衬底的上表面接触，且目标半导体层位于栅极沟槽内的部分暴露并悬空。在栅极沟槽中形成围绕目标半导体层的栅极结构。本发明实施例在不减少单位体积存储单元数量的情况下，至少可以增加字线结构占用的空间。

脚字的结构是左、中、右还是左、右？ 2023年12月12日财经界消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司已获得名称为“字行主导结构及制备方法”的授权公告，申请号为CN113745193B，申请日期为2020年5月。专利摘要显示，本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法，在基板上形成沿X轴方向延伸的字线。形成沿Y轴方向延伸的字线。我会继续。

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脚字结构图形成字线，位于阵列区的底部；形成间隔层，其至少位于周边区的保护层的顶面上。去除位于外围区域的间隔层和保护层；形成栅极介电层，栅极介电层位于周边区的基板的顶面上。形成栅极结构，栅极结构位于外围区的栅介质层的顶面上。可以保护外围区的结构，以防止在形成字线时形成外围区的结。

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脚字结构及笔画长鑫存储技术有限公司申请公开号为“半导体结构”CN117316923A，申请日期为2022年6月。专利摘要表明，本发明实施例涉及领域半导体技术并提供半导体结构。该半导体结构包括：多条字线，沿第一方向延伸并沿第三方向间隔开。多条字线沿第二方向延伸并沿第三方向排列。三个方向间隔很好，对吗？

足字的结构和顺序是怎样的？字线电连接。第一栅极对应第一有源区的延伸方向相对于第一方向倾斜；第二栅极覆盖第三沟道区、第二栅极、第三源极区和第三漏极区构成保持晶体管。一个保持晶体管的第三漏极区电连接至下拉晶体管，且第三源极区电连接至另一下拉晶体管。该专利技术通过优化存储设备的结构，提高了集成度和性能。

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